机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• iSwitch采集 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2008 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [5]
• 2004 [2]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Lu, L. W.;  So, C. K.;  Zhu, C. Y.;  Gu, Q. L.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect   Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 作者:  Zhao You-Wen;  Miao Shan-Shan;  Dong Zhi-Yuan;  Lue Xiao-Hong;  Deng Ai-Hong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Fe activation  Annealing  Semi-insulating   Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating inp materials 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 作者:  Yang Jun;  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan;  Deng Ai-Hong;  Miao Shan-Shan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Semi-insulating  Deep level  Electric compensation   Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Miao, Shanshan;  Deng, Aihong;  Yang, Jun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of semi-insulating gan films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 14-18 作者:  Fang, CB;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd  Gan  Resistivity  Tsc   Growth of high quality semi-insulating inp single crystal by suppression of compensation defects 期刊论文  iSwitch采集 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 75-77 作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Defect  Semi-insualting   Electron irradiation-induced defects in inp pre-annealed at high temperature 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Deng, A. H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Defect  Irradiation   Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity si sensors/detectors 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287 作者:  Li, Z.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Dlts  Defects  Detectors  Sensors  Current transient   Annealing ambient controlled deep defect formation in inp 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12