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Low thermal expansion coefficient cooler for diode-laser bar 专利  OAI收割
专利号: US20060045153A1, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02
作者:  CARTER, SERRENA M.;  MARTINSEN, ROBERT
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Low thermal expansion coefficient cooler for diode-laser bar 专利  OAI收割
专利号: US20060045153A1, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02
作者:  CARTER, SERRENA M.;  MARTINSEN, ROBERT
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30
Vcsel 专利  OAI收割
专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者:  VICTORIA, BROADLEY;  JENNIFER, MARY, BARNES
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半導体結晶の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994080860B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者:  岩田 直高
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of fabricating semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5227015, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13
作者:  FUJIHARA, KIYOSHI;  ISHINO, MASATO;  TAKENAKA, NAOKI
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992229682A, 申请日期: 1992-08-19, 公开日期: 1992-08-19
作者:  FUJIWARA KIYOSHI;  ISHINO MASATO;  TAKENAKA NAOKI;  MATSUI YASUSHI
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Formation of semiconductor laser resonator end face protective layer 专利  OAI收割
专利号: JP1991030390A, 申请日期: 1991-02-08, 公开日期: 1991-02-08
作者:  KOBAYASHI KENICHI
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Manufacture of ridge waveguide 专利  OAI收割
专利号: JP1990209782A, 申请日期: 1990-08-21, 公开日期: 1990-08-21
作者:  YAMADA NORIYUKI
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- 专利  OAI收割
专利号: JP1990013470B2, 申请日期: 1990-04-04, 公开日期: 1990-04-04
作者:  KUSUKI TOSHIHIRO
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988168064A, 申请日期: 1988-07-12, 公开日期: 1988-07-12
作者:  TSUNEKAWA YOSHIFUMI
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