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半导体研究所 [389]
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OAI收割 [389]
内容类型
期刊论文 [328]
会议论文 [61]
发表日期
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2016 [9]
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学科主题
光电子学 [389]
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学科主题:光电子学
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Angled-cavity lasers with photonic-crystal structure and high-order surface gratings
期刊论文
OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 01LT01 (7pp)
作者:
Y Liu
;
H W Qu
;
S Y Zhao
;
X Y Zhou
;
Y F Wang
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提交时间:2018/07/02
Electrically-driven spectrally-broadened random lasing based on disordered photonic crystal structures
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 11, 页码: 031113
作者:
X. J. Guo
;
Y. F. Wang
;
Y. F. Jia
;
W. H. Zheng
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提交时间:2018/07/02
Enhancement of luminescence from Er-doped Si by photonic crystal gradient double-heterostructuremicrocavity
期刊论文
OAI收割
Optics & Laser Technology, 2017, 卷号: 89, 页码: 69–74
作者:
Y. Wang
;
J.M. An
;
Y.D. Wu
;
X.W. Hu
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提交时间:2018/07/02
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
Experimentally simulating quantum walks with self-collimated light
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 28610
F. Qi
;
Y. F. Wang
;
Q. Y. Ma
;
W. H. Zheng
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提交时间:2017/03/16
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192
X. Li
;
D.G. Zhao
;
J. Yang
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
F. Liang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79
F. Liang
;
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X.G. He
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X.J. Li
;
X. Li
;
S.T. Liu
;
H. Yang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10