机构

• 西安光学精密机械研... [62]
• 地理科学与资源研究所 [1]
• 大连化学物理研究所 [1]
• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [65]

内容类型

• 专利 [65]

发表日期

• 2020 [1]
• 2015 [1]
• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 1999 [2]
• 1997 [2]
• 更多

学科主题

• 材料科学与物理化学 [1]
• 物理化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共65条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Kind of Culture Medium for Promoting Rooting of Hylotelephium spectabile (Boreau) H. Ohba in Hydroponic Culture 专利  OAI收割 专利号: AU2020101984, 申请日期: 2020-10-01, 公开日期: 2020-10-01 作者:  Chen,Tongbin;  Guo,Junmei;  YANG,Junxing   |  收藏  |   TiZrO2载体和贵金属/TiZrO2催化剂及其制备与应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201110427159.8, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-04-08 作者:  孙承林;  卫皇曌;  何松波 收藏  |   Process for producing copper nanoparticles 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: US 7,422,620 B2, 申请日期: 2008-09-09, 公开日期: 2006-03-16 作者:  Liu WM(刘维民) 收藏  |   Vcsel 专利  OAI收割 专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27 作者:  VICTORIA, BROADLEY;  JENNIFER, MARY, BARNES   |  收藏  |   半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2914711B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-07-05 作者:  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  波多腰 玄一   |  收藏  |   保護膜形成用材料 专利  OAI收割 专利号: JP2893875B2, 申请日期: 1999-03-05, 公开日期: 1999-05-24 作者:  滝西 文貴;  東郷 真紀子;  遠藤 昌之;  横山 泰明   |  收藏  |   半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2659937B2, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-09-30 作者:  大場 康夫;  菅原 秀人;  渡辺 美代子;  石川 正行   |  收藏  |   エッチング方法 专利  OAI收割 专利号: JP2627292B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-02 作者:  林 伸彦   |  收藏  |   半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996010780B2, 申请日期: 1996-01-31, 公开日期: 1996-01-31 作者:  花光 幸和;  土屋 富志夫;  山口 茂実;  浅井 昭彦;  牧田 克男   |  收藏  |   Method of fabricating semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US5227015, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13 作者:  FUJIHARA, KIYOSHI;  ISHINO, MASATO;  TAKENAKA, NAOKI   |  收藏  |