机构

• 半导体研究所 [105]

采集方式

• OAI收割 [105]

内容类型

• 期刊论文 [92]
• 会议论文 [13]

发表日期

• 2011 [4]
• 2010 [2]
• 2009 [7]
• 2008 [2]
• 2007 [4]
• 2006 [4]
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学科主题

• 半导体材料 [105]

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浏览/检索结果: 共105条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2012, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 1062-1066 Zhao, J; Zeng, YP; Liu, C; Cui, LJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Far-field improvement of quantum cascade lasers through high-reflection coatings 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 127 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2011/07/05 OPERATION  TEMPERATURE   GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801 Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-Fei); Gu YX (Gu Yong-Xian); Ma; WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：150/30  |  提交时间：2010/04/13 THRESHOLD CURRENT  ROOM-TEMPERATURE  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Fabrication of high quality two-dimensional photonic crystal mask layer patterns 期刊论文  OAI收割 optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 151-158 Peng, YS (Peng, Yin-Sheng); Xu, B (Xu, Bo); Ye, XL (Ye, Xiao-Ling); Niu, JB (Niu, Jie-Bin); Jia, R (Jia, Rui); Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：405/97  |  提交时间：2010/03/08 Photonic crystal