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半导体研究所 [43]
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OAI收割 [43]
内容类型
期刊论文 [35]
会议论文 [8]
发表日期
2017 [1]
2016 [2]
2014 [1]
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2012 [1]
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学科主题
光电子学 [43]
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共43条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with Compositionally Graded LT-GaAs Sb1− Buffer Layers
期刊论文
OAI收割
CHIN. PHYS. LETT., 2017, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 018101
作者:
Hai-Long Yu
;
Hao-Yue Wu
;
Hai-Jun Zhu
;
Guo-Feng Song
;
Yun Xu
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提交时间:2018/11/30
Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 670, 页码: 258-261
Xiaoguang He
;
Degang Zhao
;
Wei Liu
;
Jing Yang
;
Xiaojing Li
;
Xiang Li
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提交时间:2017/03/10
A Wavelength Tunable Optical Buffer Based on Self-pulsation in An Active Microring Resonator
期刊论文
OAI收割
journal of lightwave technology, 2016, 卷号: 34, 期号: 14, 页码: 3466-3472
Weilin Liu
;
Bruno Romeira
;
Ming Li
;
Robert S. Guzzon
;
Erik J. Norberg
;
John Parker
;
Larry A. Coldren
;
Jianping Yao
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提交时间:2017/03/10
Experimental demonstration of a microdisk resonator filter/buffer utilizing two-mode interference
期刊论文
OAI收割
optics letters, OPTICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 39, 39, 期号: 23, 页码: 6553-6556, 6553-6556
作者:
Huang, Qingzhong
;
Chen, Juguang
;
Song, Ge
;
Jie, Kun
;
Wang, Zhenzheng
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提交时间:2015/03/19
Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer
期刊论文
OAI收割
chin. phys. lett., Chin. Phys. Lett., 2013, 2013, 卷号: 30, 30, 期号: 11, 页码: 118501, 118501
作者:
SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen
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提交时间:2014/04/04
Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 544, 页码: 94-98
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Wu, L.L
;
Le, L.C
;
Li, L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
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提交时间:2013/05/07
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
OAI收割
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:
Li MF
;
He JF
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提交时间:2011/07/05
I-N PHOTODIODES