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• 半导体研究所 [36]

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• OAI收割 [36]

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• 期刊论文 [35]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [36]

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：99/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   Structural properties of ne implanted GaN 期刊论文  OAI收割 physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601 作者:  Zhu JJ;  Yang H;  Liu W;  Liu W;  Lu GJ 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2010/03/08 RAMAN-SCATTERING   Comment on 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102 Zhou ZW; Li C; Chen SY; Lai HK; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/08 THERMAL-EXPANSION   Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 Zhao, YW (Zhao You-Wen); Miao, SS (Miao Shan-Shan); Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan); Lue, XH (Lue Xiao-Hong); Deng, AH (Deng Ai-Hong); Yang, J (Yang Jun); Wang, B (Wang Bo) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   Study on optical properties of Er/Er+O doped GaN thin films 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1621-1626 Song SF (Song Shu-Fan); Chen WD (Chen Wei-De); Xu ZJ (Xu Zhen-Jia); Xu XR (Xu Xu-Rong) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 SOI  nanostructure  microelectronic materials   RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562 Song SF; Zhou SQ; Chen WD; Zhu JJ; Chen CY; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：234/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  erbium  Raman back scattering  photoluminscence  DOPED GAN  ERBIUM  PHOTOLUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE   The micro-magnetic structures of Mn+ ion-implanted GaSb 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 6a, 页码: 3389-3391 Zhang FQ; Chen NF; Liu ZK; Chai CL; Yang SY; Yang JL; Wu JL; Lin LY; Callaghan FD; Li T; Foxton CT; Bates CA 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic micro-structures  GaSb  MFM  magnetic domain  ion implantation  FORCE MICROSCOPE  SEMICONDUCTORS  GAMNAS