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  • 微电子研究所 [36]
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Total dose effect of Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:  Gao JT(高见头);  Li DL(李多力);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博);  Zheng ZS(郑中山)
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/27
半导体器件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者:  徐秋霞;  朱慧珑;  许高博;  周华杰
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27
Complementary Metal Oxide Semiconductor 专著  OAI收割
:IntechOpen, 2018
作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Yao JX(姚佳欣);  Henry Homayoun Radamson
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/23
On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017
作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春);  Chen DP(陈大鹏)
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/06/08
High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-k/Metal Gates 期刊论文  OAI收割
CHIN. PHYS. LETT., 2016
作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Zhu ZY(朱正勇);  Wang GL(王桂磊);  Zhu HL(朱慧珑);  Li JF(李俊峰)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/09
Thermal atomic layer deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as precursors 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016
作者:  Xiang JJ(项金娟);  Li TT(李亭亭);  Wang XL(王晓磊);  Wang WW(王文武);  Li JF(李俊峰)
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/09
Understanding the role of TiN barrier layer on electrical performance of MOS device with ALD-TiN/ALD-TiAlC metal gate stacks 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016
作者:  Xiang JJ(项金娟);  Li TT(李亭亭);  Wang XL(王晓磊);  Han K(韩锴);  Li JF(李俊峰)
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/09
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9312187, 申请日期: 2016-04-12, 公开日期: 2013-10-03
作者:  殷华湘;  马小龙;  徐秋霞;  陈大鹏
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/06/13
Schottky Barrier Height Tuning via the Dopant Segregation Technique through Low-Temperature Microwave Annealing 期刊论文  OAI收割
Materials, 2016
作者:  Luo J(罗军);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/05/09
Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl4 and TMA precursors 期刊论文  OAI收割
Chin. Phys. B, 2016
作者:  Xiang JJ(项金娟);  Li JF(李俊峰);  Wang WW(王文武)
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/05/09