机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 1993 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155 作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：58/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS  First Principle Calculation  Indium Nitride  Band Gap  Defect  Initio Molecular-dynamics  Augmented-wave Method  Indium Nitride  Gap  Pseudopotentials  Semiconductors  Impurities  Absorption  Defects  Alloys   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors 期刊论文  OAI收割 physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：392/60  |  提交时间：2010/03/08 COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM  ENERGY  MODEL   Enhanced mid-infrared transmission in heavily doped n-type semiconductor film based on surface plasmons 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 7210-7215 Hua, L; Song, GF; Guo, BS; Wang, WM; Zhang, Y 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 surface plasmon  doped semiconductor  enhanced transmission  doping tuned   As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 RAY-PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  INAS SURFACES  FABRICATION  DEPOSITION  LAYERS  OXIDE   LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 16, 页码: 12345-12348 YANG BH; GISLASON HP; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROGEN PASSIVATION  SILICON  NEUTRALIZATION   SELF-CONSISTENT TREATMENT OF 3-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL AND 2-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER STRUCTURES 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 4575-4585 ZHU BF; HUANG K 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  DEVICES  DIODES  HETEROSTRUCTURES  ACCUMULATION  MODEL