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西安光学精密机械研... [31]
大连化学物理研究所 [1]
烟台海岸带研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [33]
内容类型
专利 [33]
发表日期
2019 [1]
2015 [1]
2006 [1]
2001 [1]
1995 [1]
1994 [2]
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学科主题
物理化学 [1]
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浏览/检索结果:
共33条,第1-10条
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内容类型:专利
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一种用于硒蛋白检测的荧光探针化合物及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: 2018115386436, 申请日期: 2019-03-29,
作者:
陈令新
;
王悦
;
张松子
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提交时间:2024/01/26
一类含硒氟硼染料荧光探针及其在ClO
-
检测上的应用
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201210273941.3, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08
作者:
韩克利
;
王炳帅
;
李鹏
;
于法标
;
孙小飞
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提交时间:2015/11/16
InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers
专利
OAI收割
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:
SPINELLI, LUIS A.
;
ZHOU, HAILONG
;
AUSTIN, R. RUSSEL
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提交时间:2019/12/26
Light emitting semiconductor device and method for fabricating same
专利
OAI收割
专利号: US20010038103A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
作者:
NITTA, KOICHI
;
OKAZAKI, HARUHIKO
;
MATSUNAGA, TOKUHIKO
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提交时间:2019/12/30
結晶成長方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者:
大川 和宏
;
三露 常男
;
山崎 攻
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提交时间:2020/01/18
低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:
伊藤 直行
;
下林 隆
;
水本 照之
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提交时间:2019/12/24
Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode
专利
OAI收割
专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
作者:
HAYASHI, SHIGEO
;
OKAWA, KAZUHIRO
;
MITSUYU, TSUNEO
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提交时间:2019/12/26
A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice
专利
OAI收割
专利号: EP0319207B1, 申请日期: 1992-07-29, 公开日期: 1992-07-29
作者:
MURAKAMI, TAKASHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
OTAKI, KANAME C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
KUMABE, HISAO C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor crystal growing method
专利
OAI收割
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者:
HORIE KAYOKO
;
OTSUKA TAKEO
;
AKIYAMA NAOKI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor device having a disordered superlattice
专利
OAI收割
专利号: US5031185, 申请日期: 1991-07-09, 公开日期: 1991-07-09
作者:
MURAKAMI, TAKASHI
;
OTAKI, KANAME
;
KUMABE, HISAO
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提交时间:2019/12/26