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浏览/检索结果: 共292条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 045604 作者:  Shaoteng Wu;  Liancheng Wang;  Zhiqiang Liu;  Xiaoyan Yi;  Yunyu Wang;  Cheng Cheng;  Chen Lin;  Tao Feng;  Shuo Zhang;  Tao Li;  Tongbo Wei;  Jianchang Yan;  Guodong Yuan;  Junxi Wang;  Jinmin Li   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/11/19 Foreign-catalyst-free growth of InAs/InSb axial heterostructure nanowires on Si (111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2017, 卷号: 28, 页码: 135704 (9pp) 作者:  Hyok So;  Dong Pan;  Lixia Li;  Jianhua Zhao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/02 Enhanced performance of 17.7 GHz SAW devices based on AlN/diamond/Si layered structure with embedded nanotransducer 期刊论文  OAI收割 Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 253502 作者:  Enhanced performance of 17.7 GHz SAW devices based on AlN/diamond/Si layered structure with embedded nanotransducer 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/07/02 Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 52, 页码: 68-74 Lichun Zhang; XuewenGeng; GuoweiZha; JianxingXu; SihangWei; BenMa; Zesheng Chen; XiangjunShang; HaiqiaoNi; ZhichuanNiu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/10 Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015 作者:  赵丹梅   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/06/02 GaN  MOCVD  Gan  Mocvd   Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2015, 卷号: 353, 页码: 744-749 Guoguo Yan; Feng Zhang; Yingxi Niu; Fei Yang; Xingfang Liu; Lei Wang; Wanshun Zhao; Guosheng Sun; Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/03/29 Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2015, 卷号: 26, 期号: 26, 页码: 265302 Tuanwei Shi; Xiaoye Wang; Baojun Wang; Wei Wang; Xiaoguang Yang; Wenyuan Yang; Qing Chen; Hongqi Xu; Shengyong Xu; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/23 Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6416 Feng, YX; Wei, HY; Yang, SY; Chen, Z; Wang, LS; Kong, SS; Zhao, GJ; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/03/25 Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 55-60 Wang, XY; Yang, XG; Du, WN; Ji, HM; Luo, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/25 Structure and Magnetic Properties of (In, Mn) As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si(111) by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 31, 31, 期号: 7, 页码: 078103, 078103 作者:  Pan, D;  Wang, SL;  Wang, HL;  Yu, XZ;  Wang, XL   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/25