机构

• 半导体研究所 [59]

采集方式

• OAI收割 [42]
• iSwitch采集 [17]

内容类型

• 期刊论文 [44]
• 会议论文 [15]

发表日期

• 2011 [4]
• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [15]
• 2007 [5]
• 2006 [2]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [16]
• 半导体材料 [13]
• 半导体物理 [6]
• 微电子学 [4]
• 半导体器件 [3]

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浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ferromagnetic nature of (ga, cr)as epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459 作者:  Wu, H.;  Gan, H. D.;  Zheng, H. Z.;  Lu, J.;  Zhu, H. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects   InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.28402 作者:  Hou QF;  Yin HB 收藏  |  浏览/下载：43/6  |  提交时间：2011/07/05 InGaN  solar cell  multiple quantum wells  IN1-XGAXN ALLOYS  BAND-GAP  INN   Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文  OAI收割 solid state communications, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2011, 2011, 卷号: 151, 151, 期号: 6, 页码: 456-459, 456-459 作者:  Wu H;  Gan HD;  Zheng HZ;  Lu J;  Zhu H   |  收藏  |  浏览/下载：62/5  |  提交时间：2011/07/05 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects  TRANSPORT-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR  (GA,CR)AS  Magnetic Semiconductors  Molecular Beam Epitaxy  Magneto-optical Effects  Transport-properties  Semiconductor  (Ga  Cr)As   Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 316, 316, 期号: 1, 页码: 145-148, 145-148 作者:  Yang GD;  Zhu F   |  收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 Diffusion  Physical vapor deposition processes  Magnetic materials  Semiconducting III-V materials  GASB/MN DIGITAL ALLOYS  ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  RAMAN-SCATTERING  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  EPITAXIAL LAYERS  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  STRAIN  MAGNETOELECTRONICS  SPINTRONICS  Diffusion  Physical Vapor Deposition Processes  Magnetic Materials  Semiconducting Iii-v Materials  Gasb/mn Digital Alloys  Room-temperature Ferromagnetism  Raman-scattering  Magnetotransport Properties  Epitaxial Layers  Thin-films  Semiconductors  Strain  Magnetoelectronics  Spintronics   Tandem organic light-emitting diodes with an effective charge-generation connection structure 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 35-36, 页码: 1683-1685 作者:  Li, Linsen;  Guan, Min;  Cao, Guohua;  Li, Yiyang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Organic light-emitting diodes  Tandem  Charge generation   Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504 Zhu B (Zhu Bin); Han Q (Han Qin); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He JF (He Ji-Fang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang X (Wang Xin); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Wang J (Wang Jie) 收藏  |  浏览/下载：123/5  |  提交时间：2010/04/22 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYERS  DARK CURRENT  PHOTODIODES  LASERS   Tandem organic light-emitting diodes with an effective charge-generation connection structure 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 35-36, 页码: 1683-1685 Li LS (Li Linsen); Guan M (Guan Min); Cao GH (Cao Guohua); Li YY (Li Yiyang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：238/43  |  提交时间：2010/09/20 Organic light-emitting diodes  Tandem  Charge generation   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power