机构

• 半导体研究所 [21]

采集方式

• OAI收割 [13]
• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [9]
• 1999 [7]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [5]
• 光电子学 [1]
• 半导体化学 [1]
• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single ingaas/gaas quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: 7 作者:  Yang, L.;  Motohisa, J.;  Tomioka, K.;  Takeda, J.;  Fukui, T. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS   Atomic configurations of dislocation core and twin boundaries in 3C-SiC studied by high-resolution electron microscopy 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 18, 页码: art.no.184103 Tang CY; Li FH; Wang R; Zou J; Zheng XH; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/03/29 IMAGE DECONVOLUTION   Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650 作者:  Wang Yutian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 X-ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic gan layers grown on (001)gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Liu, SA 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  X-ray diffraction   Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in gan/gaas(001) epilayers measured by conventional x-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Lin, SM;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Defects  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Microtwins and twin inclusions in the 3c-sic epilayers grown on si(001) by apcvd 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 3c-sic  Microtwins  X-ray four-circle diffractometer  Apcvd   Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal x-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic gan/gaas(001) epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Four-circle diffraction  Gan  Phase content   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：101/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO   Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：95/12  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  microtwins  X-ray four-circle diffractometer  APCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GAN  SI  SUBSTRATE  DEFECTS  NITRIDE  MBE