机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [3]
• 1999 [1]

学科主题

• 光电子学 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845 Feng W (Feng W.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhou F (Zhou F.); Yang H (Yang H.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  QUANTUM-WELL STRUCTURES  BANDGAP ENERGY CONTROL  LAYERS  INGAASP   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS   Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE 会议论文  OAI收割 12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006 Feng, W (Feng, W.); Pan, JQ (Pan, J. Q.); Zhou, F (Zhou, F.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Wang, W (Wang, W.) 收藏  |  浏览/下载：93/15  |  提交时间：2010/03/29 BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  VAPOR-PHASE EPITAXY  PRESSURE MOVPE  CONVERTER   Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY