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浏览/检索结果: 共128条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/01/11 VECSEL  MOVPE  InGaAs   Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 16 作者:  Zhang SM(张书明);  Yang H(杨辉);  Liu JP(刘建平);  Yang, J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/12/19 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  YELLOW LUMINESCENCE  INTERSTITIAL CARBON  MOVPE GROWTH  LAYERS   Optimized growth of p-type algan electron blocking layer in the gan-based led 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 6 作者:  Wang Bing;  Li Zhi-Cong;  Yao Ran;  Liang Meng;  Yan Fa-Wang 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan-based  Led  Al composition  Electron blocking layer   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：139/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Monolithic integration of sampled grating dbr with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth mocvd and quantum-well intermixing 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672 作者:  Liu Hong-Bo;  Zhao Ling-Juan 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural and optical properties of a-plane ZnO thin films synthesized on γ-LiAlO2 (302) substrates by low pressure metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 18, 页码: 6079, 6082 Lin Hui; 周圣明; Zhou Jianhua; Liu Xuedong; Gu Shulin; Zhu Shunming; Xie Zili; Han Ping; Zhang Rong 收藏  |  浏览/下载：931/108  |  提交时间：2009/09/24 a-plane ZnO thin films  structural and optical properties  gamma-LiAlO2 (302) substrates  metal organic chemical vapor deposition  X-ray diffraction  atomic force miscroscopy  Raman spectroscopy