机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [4]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者:  Xu B;  Jiang DS;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  laser diodes  1.3 MU-M  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  1.3-MU-M  PHOTOLUMINESCENCE  GAIN   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：142/9  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION