机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2006 [2]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体物理 [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM   Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-POWER  LASER-DIODES  NM   Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：81/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MORPHOLOGY  MODULATIONS  SURFACES  INP(001)  GROWTH  ALLOY  INP   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：99/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  THRESHOLD  EMISSION   Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377 Lian P; Yin T; Gao G; Zou DS; Chen CH; Li JJ; Shen GD; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductor lasers  high power  MOCVD  OPERATION   InAs self-assembled nanostructures grown on InP(001) 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GAAS  THRESHOLD  GAAS(100)  SIZE  INP   Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 1775-1779 Zhu ZM; Li GH; Liu NZ; Wang SZ; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE ZNSE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITATION SPECTROSCOPY  LASER-DIODES  ACCEPTORS  GROWTH