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• 半导体研究所 [20]

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学科主题

• 半导体物理 [20]

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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 110, 110, 期号: 5, 页码: 54320, 54320 作者:  Ning JQ;  Xu SJ;  Ruan XZ;  Ji Y;  Zheng HZ   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH  Wells  Relaxation  Hole  Photoluminescence  Semiconductors  Localization  Transitions  Excitons  Carriers  Growth   Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 013502 作者:  Yang T;  Ma WQ 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/03/08 DETECTOR   Extremely low density InAs quantum dots with no wetting layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1025-1028 Huang, SS (Huang She-Song); Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan); Ni, HQ (Ni Hai-Qiao); Zhan, F (Zhan Feng); Zhao, H (Zhao Huan); Sun, Z (Sun Zheng); Xia, JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/29 DROPLET EPITAXY   Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 time-resolved photoluminescence  InAs self-assembled QDs  migration of carriers  1.3 MU-M  DEPENDENT RADIATIVE DECAY  THERMAL REDISTRIBUTION  EXCITONS  RECOMBINATION  RELAXATION  LIFETIMES  EMISSION  EPITAXY  LASERS   Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 会议论文  OAI收割 3rd asian conference on chemical vapor deposition, taipei, taiwan, nov 12-14, 2004 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：166/29  |  提交时间：2010/03/29 time-resolved photoluminescence   Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 13-17 Huang JS; Chen Z; Luo XD; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：136/15  |  提交时间：2010/03/09 atomic force microscopy   Optical properties of InGaAs self-assembled quantum dots with InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 8, 页码: 2087-2091 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：298/12  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs quantum dots  InAlAs wetting layer  photoluminescence spectra  TEMPERATURE-DEPENDENCE   Effect of InAs quantum dots on the Fermi level pinning of undoped-n(+) type GaAs surface studied by contactless electroreflectance 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: 4169-4172 作者:  Li CM;  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  MICROSCOPY  ISLANDS   Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1010-1012 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  MICROSCOPY  SURFACES  ISLANDS  LAYER   Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：85/7  |  提交时间：2010/08/12 STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  II BAND ALIGNMENT  PHOTOLUMINESCENCE  GE  EXCITONS  GAP  SI