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机构
半导体研究所 [213]
采集方式
iSwitch采集 [116]
OAI收割 [97]
内容类型
期刊论文 [205]
会议论文 [8]
发表日期
2011 [8]
2010 [6]
2009 [8]
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共213条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Yang, Qiumin
;
Li, Yiyang
;
Cui, Lijie
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Cadmium compounds
Semiconducting ii-vi materials
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
作者:
Su, Shaojian
;
Wang, Wei
;
Cheng, Buwen
;
Zhang, Guangze
;
Hu, Weixuan
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2019/05/12
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
作者:
Yang, Guandong
;
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting iii-v materials
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.16101
Liu JQ
;
Qiu YX
;
Wang JF
;
Xu K
;
Yang H
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浏览/下载:36/3
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提交时间:2011/07/05
X-RAY-DIFFRACTION
THIN-FILMS
GROWTH
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
OAI收割
journal of raman spectroscopy, JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2011, 2011, 卷号: 42, 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391, 1388-1391
作者:
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Raman Spectroscopy
Ultrathin Fe(3)o(4) Film
Crystal Orientation
Strain
Phonon Strain-shift Coefficient
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Spin-transport
Magnetite
Semiconductors
Spintronics
Scattering
Corrosion
Devices
Growth
Characterization of zno nanorods grown on si substrates coated with nicl2
期刊论文
iSwitch采集
Crystal research and technology, 2010, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 988-992
作者:
Wang, Jie
;
Zhuang, Huizhao
;
Li, Junlin
;
Xu, Peng
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconducting material
Zno
Chemical vapor deposition
Growth mechanism
Optical properties
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials