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• 微电子研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

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• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2015 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2015 作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳)   |  收藏  |   Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文  OAI收割 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |   Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation 期刊论文  OAI收割 Appl. Phys. Lett., 2015 作者:  Xu DL(许定林);  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安);  Zhang MY(张美芸)   |  收藏  |   Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安);  Zhang MY(张美芸);  Li Y(李阳)   |  收藏  |