机构

• 微电子研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 专利 [6]

发表日期

• 2018 [3]
• 2017 [2]
• 2015 [1]
• 2014 [6]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/20 Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/20 Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/20 Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017 作者:  Ye TC(叶甜春);  Zhou LX(周丽星);  Wang XL(王晓磊);  Ma XL(马雪丽);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/07/09 Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition 期刊论文  OAI收割 Chin. Phys. B, 2017 作者:  Wang XL(王晓磊);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Ma XL(马雪丽);  Zhu HL(朱慧珑)   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/06/08 Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/31 一种半导体结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN103681802A, 申请日期: 2014-03-26, 作者:  马雪丽;  韩锴;  王晓磊;  王文武;  杨红   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/13 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN103579113A, 申请日期: 2014-02-12, 作者:  杨红;  韩锴;  王晓磊;  王文武;  马雪丽   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2018/04/02 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN103545191A, 申请日期: 2014-01-29, 作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/06/12 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29, 作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/13