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浏览/检索结果: 共293条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Above Room-Temperature Ferromagnetism in Wafer-Scale Two-Dimensional van der Waals Fe3GeTe2 Tailored by a Topological Insulator 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2020, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 10045-10053 作者:  Haiyu Wang;   Yingjie Liu;   Peichen Wu;   Wenjie Hou;   Yuhao Jiang;   Xiaohui Li;   Chandan Pandey;   Dongdong Chen;   Qing Yang;   Hangtian Wang;   Dahai Wei;   Na Lei;   Wang Kang;   Lianggong Wen;   Tianxiao Nie*;   Weisheng Zhao;   Kang L. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/05/26 Surface acoustic wave detection of robust zero-resistance states under microwaves 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101, 期号: 16, 页码: 165413 作者:  Jianli Wang;   L. N. Pfeiffer;   K. W. West;   K. W. Baldwin;   Chi Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/06/28 Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359 作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/11/26 Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362 作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/11/26 Optical phonons and their transformation in cylindrical wurtzite core-multishell nanowires with ternary mixed crystal effect 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 127, 期号: 6, 页码: 065706 作者:  J. X. Wang;   Y. Qu;   S. L. Ban   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/11/30 Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712 作者:  P. F. WANG ;   G. Z. LUO ;   H. Y. YU ;   Y. J. LI ;   M. Q. WANG ;   X. L. ZHOU ;   W. X. CHEN;   Y. J. ZHANG ;   , J. Q. PAN   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/07/31 Interfacial influence on electrical injection and transport characterization of CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs quantum wells hetero-structure 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2019, 卷号: 473, 页码: 230-234 作者:  Y. Tian ;   C. Zhang ;   C. Xiao ;   R. Wang ;   L. Xu ;   X. Devaux ;   Pierre Renucci ;   B. Xu ;   S. Liang ;   C. Yang ;   Y. Lu   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/07/30 Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/04 The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/31