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半导体研究所 [173]
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期刊论文 [171]
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Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245
作者:
Yang, J.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhao, D. G.
;
Chen, P.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
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提交时间:2022/05/19
Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:
Yang, J.
;
Wang, B. B.
;
Zhao, D. G.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhang, Z. Z.
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提交时间:2022/03/24
Direct growth of wafer-scale highly oriented graphene on sapphire
期刊论文
OAI收割
SCIENCE ADVANCES, 2021, 卷号: 7, 期号: 47, 页码: eabk0115
作者:
Chen, Zhaolong
;
Xie, Chunyu
;
Wang, Wendong
;
Zhao, Jinpei
;
Liu, Bingyao
;
Shan, Jingyuan
;
Wang, Xueyan
;
Hong, Min
;
Lin, Li
;
Huang, Li
;
Lin, Xiao
;
Yang, Shenyuan
;
Gao, Xuan
;
Zhang, Yanfeng
;
Gao, Peng
;
Novoselov, Kostya S.
;
Sun, Jingyu
;
Liu, Zhongfan
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提交时间:2022/03/24
Improved stability and efficiency of perovskite via a simple solid diffusion method
期刊论文
OAI收割
MATERIALS TODAY PHYSICS, 2021, 卷号: 18, 页码: 100374
作者:
Wang, W.
;
Guo, R.
;
Xiong, X.
;
Liu, H.
;
Chen, W.
;
Hu, S.
;
Amador, E.
;
Chen, B.
;
Zhang, X.
;
Wang, L
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提交时间:2022/07/15
Observation of Strong Bulk Damping‐Like Spin‐Orbit Torque in Chemically Disordered Ferromagnetic Single Layers
期刊论文
OAI收割
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 48, 页码: 2005201
作者:
Lijun Zhu
;
Xiyue S. Zhang
;
David A. Muller
;
Daniel C. Ralph
;
Robert A. Buhrman
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提交时间:2021/05/25
High-Performance Logic and Memory Devices Based on a Dual-Gated MoS2 Architecture
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 2, 期号: 1, 页码: 111-119
作者:
Fuyou Liao
;
Zhongxun Guo
;
Yin Wang
;
Yufeng Xie
;
Simeng Zhang
;
Yaochen Sheng
;
Hongwei Tang
;
Zihan Xu
;
Antoine Riaud
;
Peng Zhou
;
Jing Wan
;
Michael S. Fuhrer
;
Xiangwei Jiang
;
David Wei Zhang
;
Yang Chai
;
Wenzhong Bao
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提交时间:2021/12/21
Interfacial influence on electrical injection and transport characterization of CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs quantum wells hetero-structure
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2019, 卷号: 473, 页码: 230-234
作者:
Y. Tian
;
C. Zhang
;
C. Xiao
;
R. Wang
;
L. Xu
;
X. Devaux
;
Pierre Renucci
;
B. Xu
;
S. Liang
;
C. Yang
;
Y. Lu
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提交时间:2020/07/30
Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116
作者:
Y. Jiang
;
S. Thapa
;
G. D. Sanders
;
C. J. Stanton
;
Q. Zhang
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提交时间:2018/06/01
Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
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提交时间:2018/11/30
Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
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提交时间:2018/11/30