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浏览/检索结果: 共126条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Tunable spin–orbit torque switching in antiferromagnetically coupled CoFeB/Ta/ CoFeB 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 21, 页码: 212403 作者:  R. Q. Zhang;   G. Y. Shi;   J. Su;   Y. X. Shang;   J. W. Cai;   L. Y. Liao;   F. Pan;   C. Song   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/05/21 Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359 作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/11/26 Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712 作者:  P. F. WANG ;   G. Z. LUO ;   H. Y. YU ;   Y. J. LI ;   M. Q. WANG ;   X. L. ZHOU ;   W. X. CHEN;   Y. J. ZHANG ;   , J. Q. PAN   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/07/31 Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/04 Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/15 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850 作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602 作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/30 Reversible transition between coherently strained BiFeO3 and the metastable pseudotetragonal phase on (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (001) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 121, 页码: 054102 作者:  Z. Fu;  Z. G. Yin;  X. W. Zhang;  N. F. Chen;  Y. J. Zhao 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/05/30 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11