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• 半导体研究所 [30]

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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Shi, K.;  Zhang, P. F.;  Wei, H. Y.;  Jiao, C. M.;  Jin, P. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Improvement of efficiency of gan-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Wei, X. C.;  Liu, N. X.;  Lu, H. X.;  Zeng, J. P. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Theoretical study of polarization-doped gan-based light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N. X.;  Wei, T. B.;  Ji, X. L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar znmgo by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Shi, K.;  Yang, A. L.;  Wang, J.;  Song, H. P.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting ii-vi materials   The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Electron gas  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Mocvd  Polarisation  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Wide band gap semiconductors   Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 作者:  Liu, J. M.;  Liu, X. L.;  Xu, X. Q.;  Wang, J.;  Li, C. M. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence band offset  W-inn/h-bn heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset   Anomalous shift of the beating nodes in illumination-controlled in1-xgaxas/in1-yalyas two-dimensional electron gases with strong spin-orbit interaction 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Zhou, W. Z.;  Lin, T.;  Shang, L. Y.;  Yu, G.;  Gao, K. H. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   Revised ab initio natural band offsets of all group iv, ii-vi, and iii-v semiconductors 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: 3 作者:  Li, Yong-Hua;  Walsh, Aron;  Chen, Shiyou;  Yin, Wan-Jian;  Yang, Ji-Hui 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Ab initio calculations  Band structure  Cadmium compounds  Iii-v semiconductors  Ii-vi semiconductors  Iv-vi semiconductors  Zinc compounds