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• 半导体研究所 [23]

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• 期刊论文 [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in vo2 film near the metal-insulator transition region 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Li, W. W.;  Yu, Q.;  Liang, J. R.;  Jiang, K.;  Hu, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-u53 作者:  Wang, Z. C.;  Jin, P.;  Lv, X. Q.;  Li, X. K.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Theoretical study of polarization-doped gan-based light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N. X.;  Wei, T. B.;  Ji, X. L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Electron gas  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Mocvd  Polarisation  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Wide band gap semiconductors   Dynamics of photo-enhanced magneto-crystalline anisotropy in diluted ferromagnetic gamnas 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 29-30, 页码: 1419-1421 作者:  Luo, J.;  Zheng, H. Z.;  Shen, C.;  Zhang, H.;  Zhu, K. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Magnetic films  Time-resolved kerr rotation  Magnetic linear dichroism   Magnetoresistance in a nominally undoped ingan thin film 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66 作者:  Ding, K.;  Zeng, Y. P.;  Li, Y. Y.;  Cui, L. J.;  Wang, J. X. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal orientation  Etching  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Photoluminescence  Red shift  Scanning electron microscopy  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor thin films  Vapour phase epitaxial growth  X-ray diffraction   Strain-induced anodization of sige/si multiple layers to form high density sige/si heterogeneous nanorods 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 作者:  Zhou, Bi;  Pan, S. W.;  Chen, Rui;  Chen, S. Y.;  Li, Cheng 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures   A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in ingan/gan light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 97, 期号: 2, 页码: 465-468 作者:  Ding, K.;  Zeng, Y. P.;  Wei, X. C.;  Li, Z. C.;  Wang, J. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12