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半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2012 [8]
学科主题
光电子学 [8]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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学科主题:光电子学
发表日期:2012
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Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le, L.C
;
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
;
Li, L
;
Wu, L.L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Li, Z.C
;
Fan, Y.M
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
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提交时间:2013/04/19
Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 544, 页码: 94-98
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Wu, L.L
;
Le, L.C
;
Li, L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
收藏
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提交时间:2013/05/07
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
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提交时间:2013/03/27
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le, L.C
;
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
;
Li, L
;
Wu, L.L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Li, Z.C
;
Fan, Y.M
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
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提交时间:2013/04/19
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Li L (Li, L.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang BS (Zhang, B. S.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110
作者:
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提交时间:2013/03/20
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 2012, 卷号: 27, 27, 期号: 8, 页码: 85017, 85017
作者:
Wu, LL
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Le, LC
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提交时间:2013/03/17