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• 微电子研究所 [5]

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• OAI收割 [5]

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• 期刊论文 [5]

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• 2018 [3]
• 2017 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An Overview of the Ultrawide Bandgap Ga2O3 Semiconductor-Based Schottky Barrier Diode for Power Electronics Application 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  He QM(何启鸣);  Jian GZ(菅光忠);  Long SB(龙世兵);  Liu M(刘明)   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/04/18 C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/04/18 Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  He QM(何启鸣);  Mu WX(穆文祥);  Fu B(付博);  Jia ZT(贾志泰);  Long SB(龙世兵)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/18 Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100)β-Ga2O3 Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2017 作者:  Jian GZ(菅光忠);  He QM(何启鸣);  Dong H(董航);  Tan Y(覃愿);  Zhang Y(张颖)   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/07/13 Schottky barrier diode based on beta-Ga2O3 (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electrical characteristics 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  He QM(何启鸣);  Dong H(董航);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/07/12