机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 专利 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2018 [4]
• 2017 [3]
• 2016 [3]
• 2015 [1]

学科主题

• 半导体材料 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  季祥海 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积   Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core–Shell Nanowires 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2018, 卷号: 13, 页码: 269 作者:  Xianghai Ji ;   Xiren Chen ;   Xiaoguang Yang ;   Xingwang Zhang ;   Jun Shao;   Tao Yang   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/11/12 The effect of nanoscale steps on the self-catalyzed position-controlled InAs nanowire growth 期刊论文  OAI收割 Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 卷号: 28, 页码: 014002 作者:  Wenyuan Yang ;   Xianghai Ji ;   Xiaoye Wang ;   Tong Li ;   Tuanwei Shi ;  Tao Yang ;   Qing Chen   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/11/12 Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 页码: 405601 (6pp) 作者:  Xiaoguang Yang ;  Wenna Du;  Xianghai Ji ;   Xingwang Zhang;  Tao Yang   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/15 Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 460, 页码: 1-4 作者:  Xiaoye Wang;  Wenyuan Yang;  Baojun Wang;  Xianghai Ji;  Shengyong Xu 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/05/30 Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 页码: 1-8 作者:  Xianghai Ji;  Xiaoguang Yang;  Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/23 Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 页码: 2867−2874 作者:  Yuxiang Han 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/05/23 Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts 期刊论文  OAI收割 nano lett., 2016, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 877-882 Wenna Du; Xiaoguang Yang; Huayong Pan; Xianghai Ji; Haiming Ji; Shuai Luo; Xingwang Zhang; Zhanguo Wang; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/10 InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2016, 卷号: 27, 期号: 27, 页码: 275601 Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Shuai Luo; Haiming Ji; H Q Xu; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/10 Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires 期刊论文  OAI收割 nano letters, 2016, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 7580-7587 Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/10