机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2012 [3]
• 2011 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [3]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 00218979 Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; Feng, Zhihong; Meng, Lingguo; Lv, Yuanjie; Cao, Zhifang; Yu, Yingxia; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/07 Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 434 Lv YJ (Lv, Yuanjie); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Meng LG (Meng, Lingguo); Luan CB (Luan, Chongbiao); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Feng ZH (Feng, Zhihong); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/02 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 054513 Luan CB (Luan, Chongbiao); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Feng ZH (Feng, Zhihong); Meng LG (Meng, Lingguo); Lv YJ (Lv, Yuanjie); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/02 GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文  OAI收割 物理学报, 物理学报, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6, 016108-1-016108-6 作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2011/08/16 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 567-570 作者:  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：185/7  |  提交时间：2010/11/23 Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum 期刊论文  OAI收割 chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 620-625 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定 期刊论文  OAI收割 中国科学. A辑，数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23