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• 半导体研究所 [12]

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• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 专利 [2]

发表日期

• 2013 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [3]
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• 2004 [1]
• 2003 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improved Performance of Highly Scaled AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using an AlN Back Barrier 期刊论文  OAI收割 applied physics express, 2013, 卷号: 6, 期号: 5, 页码: 051201 Kong, Xin; Wei, Ke; Liu, Guoguo; Liu, Xinyu; Wang, Cuimei; Wang, Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/08/27 AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：151/11  |  提交时间：2010/11/23 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274 Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/11/23 A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 88-91 邵刚; 刘新宇; 和致经; 刘健; 魏珂; 陈晓娟; 吴德馨; 王晓亮; 陈宏 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1116-1120 作者:  Liu Jian 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23