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微电子研究所 [32]
宁波材料技术与工程研... [1]
采集方式
OAI收割 [33]
内容类型
期刊论文 [20]
专利 [9]
会议论文 [3]
成果 [1]
发表日期
2017 [33]
学科主题
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浏览/检索结果:
共33条,第1-10条
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发表日期:2017
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Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100)β-Ga2O3 Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties
期刊论文
OAI收割
AIP Advances, 2017
作者:
Jian GZ(菅光忠)
;
He QM(何启鸣)
;
Dong H(董航)
;
Tan Y(覃愿)
;
Zhang Y(张颖)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2018/07/13
8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications
会议论文
OAI收割
作者:
Luo Q(罗庆)
;
Xu XX(许晓欣)
;
Gong TC(龚天成)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Dong DN(董大年)
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提交时间:2018/07/26
BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond
会议论文
OAI收割
作者:
Lv HB(吕杭炳)
;
Xu XX(许晓欣)
;
Yuan P(袁鹏)
;
Dong DN(董大年)
;
Gong TC(龚天成)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/07/26
Correlation analysis between the current fluctuation characteristics and the conductivefilament morphology of HfO2-based memristor
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者:
Zhang MY(张美芸)
;
Long SB(龙世兵)
;
Liu M(刘明)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/07/12
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者:
王国明
;
龙世兵
;
张美芸
;
李阳
;
许晓欣
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提交时间:2018/04/27
新型阻变存储器的物理研究与产业化前景
期刊论文
OAI收割
物理, 2017
作者:
张颖
;
龙世兵
;
刘明
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/07/13
Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array
期刊论文
OAI收割
Advanced Electronic Materials, 2017
作者:
Writam Banerjee
;
Xu XX(许晓欣)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Liu Q(刘琦)
;
Long SB(龙世兵)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/07/13
一种对磁多畴态进行调控的方法
专利
OAI收割
专利号: US9779836, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2015-09-17
作者:
毕冲
;
龙世兵
;
刘明
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提交时间:2018/07/19
Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Cao RR(曹荣荣)
;
Liu M(刘明)
;
Long SB(龙世兵)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Wang Y(王艳)
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提交时间:2018/07/12
基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2017
作者:
吴全潭
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提交时间:2018/07/12