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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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The influence of the1st AlN and the2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
OAI收割
applied physics a: materials science and processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
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提交时间:2012/06/14
Poisson equation
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
收藏
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
OAI收割
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi Y
;
Lin DF
;
Peng EC
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提交时间:2011/09/14
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
HETEROJUNCTION FETS
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
CONFINEMENT
PERFORMANCE
BARRIERS