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机构
半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [1]
1998 [3]
1997 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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70
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85
90
95
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Luminescence of La0.2Y1.8O3 nanostructured scintillators
期刊论文
OAI收割
optics letters, 2014, 卷号: 39, 期号: 19, 页码: 5705-5708
Chen, W
;
Tu, HQ
;
Sahi, S
;
Mao, DF
;
Kenarangui, R
;
Luo, JM
;
Jin, P
;
Liu, SM
;
Ma, L
;
Brandt, A
;
Weiss, A
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
期刊论文
OAI收割
compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 期号: 0, 页码: 211-214
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SHALLOW DONORS
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
OAI收割
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SHALLOW DONORS
Electronic and vibrational raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in gan on sapphire substrate
期刊论文
iSwitch采集
Compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 页码: 211-214
作者:
Jiang, DS
;
Ramsteiner, M
;
Brandt, O
;
Ploog, KH
;
Tews, H
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Properties of cubic GaN grown by MBE
期刊论文
OAI收割
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221
Brandt O
;
Yang H
;
Mullhauser JR
;
Trampert A
;
Ploog KH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
cubic gallium arsenide film
molecular beam epitaxy
photoluminescence
transmission electron microscopy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
Heteroepitaxy of cubic gan: influence of interface structure
期刊论文
iSwitch采集
Microscopy of semiconducting materials 1997, 1997, 期号: 157, 页码: 205-208
作者:
Trampert, A
;
Brandt, O
;
Yang, H
;
Yang, B
;
Ploog, KH
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/05/12
Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
期刊论文
OAI收割
microscopy of semiconducting materials 1997, 1997, 卷号: 157, 期号: 0, 页码: 205-208
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN/GAAS(001)
GROWTH
Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
会议论文
OAI收割
royal-microscopical-society conference on microscopy of semiconducting materials, oxford, england, apr 07-10, 1997
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN/GAAS(001)
GROWTH