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• 近代物理研究所 [5]

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• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2020 [3]
• 2019 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8 作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13 TCAD  FinFET  SCR  SEL   Evaluation Method of Heavy-Ion-Induced Single-Event Upset in 3D-Stacked SRAMs 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 14 作者:  Zhao, Peixiong;  Liu, Tianqi;  Cai, Chang;  He, Ze;  Li, Dongqing   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/15 Monte-Carlo simulation  single-event upset  test standard  three-dimensional integrated circuits  ultrahigh-energy heavy ion   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者:  Ke, Lingyun;  Zhao, Peixiong;  Liu, Jie;  Fan, Xue;  Cai, Chang   |  收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/11/10 FPGA  radiation hardening  single event upsets  heavy ions  error rates