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内容类型

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发表日期

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学科主题

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• 红外基础研究 [1]

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浏览/检索结果: 共112条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanism and Equivalence of Single Event Effects Induced by 14 MeV Neutrons in High-Speed QDR SRAM 期刊论文  OAI收割 APPLIED SCIENCES-BASEL, 2022, 卷号: 12, 期号: 19, 页码: 9685 作者:  Yang, Shaohua;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  Tong, Teng;  Li, Xiaohui   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/11/09 SEE  SBU  MCU  QDR-SRAM   Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8 作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/13 TCAD  FinFET  SCR  SEL   22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  王保顺   |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/11/19 鳍式场效应晶体管  总剂量效应  热载流子可靠性   A FinFET with one atomic layer channel 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11 作者:  Chen, Mao-Lin;  Sun, Xingdan;  Liu, Hang;  Wang, Hanwen;  Zhu, Qianbing   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/11/23 22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388 作者:  王保顺;  崔江维;  郑齐文;  席善学;  魏莹   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/11/17 鳍式场效应晶体管  热载流子注入效应  总剂量效应   TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/09/09 Bulk Si FinFET  fin width  orientation  PMOS  threshold voltage shift  total ionizing dose (TID)   SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学, 2019 作者:  秦长亮   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/09/05 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22 作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/03/26