机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improved Efficiency of Organic/Inorganic Hybrid Near-Infrared Light Upconverter by Device Optimization 期刊论文  OAI收割 acs applied materials & interfaces, 2012, 卷号: 4, 期号: 9, 页码: 4976-4980 Chu XB (Chu, Xinbo); Guan M (Guan, Min); Li LS (Li, Linsen); Zhang Y (Zhang, Yang); Zhang F (Zhang, Feng); Li YY (Li, Yiyang); Zhu ZP (Zhu, Zhanping); Wang BQ (Wang, Baoqiang); Zeng YP (Zeng, Yiping) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/04/02 High-Performance 4H-SiC-Based Metal-Insulator-Semiconductor Ultraviolet Photodetectors With SiO(2) and Al(2)O(3)/SiO(2) Films 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1722-1724 Zhang F (Zhang Feng); Sun GS (Sun Guosheng); Huang HL (Huang Huolin); Wu ZY (Wu Zhengyun); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wanshun); Liu XF (Liu Xingfang); Yan GG (Yan Guoguo); Zheng L (Zheng Liu); Dong L (Dong Lin); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/02/22 Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：131/40  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  SEM  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  PHASE EPITAXY  SELECTIVE GROWTH  LASER-DIODES  LAYERS   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE