中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [29]
采集方式
OAI收割 [22]
iSwitch采集 [7]
内容类型
期刊论文 [24]
会议论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [9]
2007 [8]
2006 [3]
2005 [3]
更多
学科主题
半导体材料 [16]
半导体物理 [4]
光电子学 [1]
半导体器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共29条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 17, 页码: 173107
Ma, HL
;
Wang, XF
;
Zhang, JY
;
Wang, XD
;
Hu, CX
;
Yang, X
;
Fu, YC
;
Chen, XG
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Ji, A
;
Yang, FH
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/01/06
CHANGE MEMORY
NONVOLATILE
STORAGE
CELL
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang ML
收藏
  |  
浏览/下载:161/57
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN heterostructure
Superlattices (SLs)
Root mean square roughness (RMS)
Sheet resistance
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
收藏
  |  
浏览/下载:92/1
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
HEMT
2DEG
mobility
polarization
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
OAI收割
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
OAI收割
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
OAI收割
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
OAI收割
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
Zhang, ML
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
收藏
  |  
浏览/下载:49/3
  |  
提交时间:2010/03/08
TRANSPORT
PROTON
HEMTS
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:77/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
OAI收割
conference on advanced materials and devices for sensing and imaging iii, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/03/09
hydrogen sensor
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode