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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 专利 [5]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: EP0951076B1, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2006-09-20 作者:  WANG, SHIH YUAN;  CHEN, YONG;  CORZINE, SCOTT W.;  KERN, R. SCOTT;  COMAN, CARRIE CARTER   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices 专利  OAI收割 专利号: US6635904, 申请日期: 2003-10-21, 公开日期: 2003-10-21 作者:  GOETZ, WERNER K.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Indium gallium nitride smoothing structures for iii-nitride devices 专利  OAI收割 专利号: US20020171091A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21 作者:  GOETZ, WERNER K.;  CAMRAS, MICHAEL D.;  GARDNER, NATHAN F.;  KERN, R. SCOTT;  KIM, ANDREW Y.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 A wafer bonded AlGaInN structure 专利  OAI收割 专利号: GB2346480A, 申请日期: 2000-08-09, 公开日期: 2000-08-09 作者:  CARRIE, CARTER-COMAN;  R, SCOTT, KERN;  FRED, A, KISH, JR;  MICHAEL, R., KRAMES;  ARTO, V., NURMIKKO   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen 专利  OAI收割 专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09 作者:  CHEN CHANGHUA;  GOETZ WERNER;  KERN R. SCOTT;  KUO CHIHPING   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31