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浏览/检索结果: 共70条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Superlattice-like electrode for low-power phase-change random access memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 113104 Lu, YG; Song, SN; Song, ZT; Wu, LC; He, AD; Gong, YF; Rao, F; Liu, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/17 Scaling properties of phase-change line memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 98401 Du, XF; Song, SN; Song, ZT; Liu, WL; Lu, SL; Gu, YF; Xue, WJ; Xi, W 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 phase-change memory  line structure  scaling properties  three-dimensional simulation   SixSb2Te materials with stable phase for phase change random access memory applications 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 5, 页码: 54319 Gu, YF; Song, SN; Song, ZT; Cheng, Y; Du, XF; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17 High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: H59-H61 Xu, JA; Rao, F; Song, ZT; Xia, MJ; Peng, C; Gu, YF; Zhu, M; Wu, LC; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/17 SixSb2Te materials with stable phase for phase change random access memory applications 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 5, 页码: 54319 Gu, YF; Song, SN; song, zt(重点实验室）; Cheng, Y; Du, XF; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Scaling properties of phase-change line memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 98401 Du, XF; Song, SN; song, zt(重点实验室）; Liu, WL; Lu, SL; Gu, YF; Xue, WJ; Xi, W 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Superlattice-like electrode for low-power phase-change random access memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 113104 Lu, YG; Song, SN; song, zt(重点实验室）; Wu, LC; He, AD; Gong, YF; Rao, F; Liu, B(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: H59-H61 Xu, JA; Rao, F; song, zt(重点实验室）; Xia, MJ; Peng, C; Gu, YF; Zhu, M; Wu, LC; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Electrochemistry  Materials Science  Multidisciplinary   Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 70211 Du,XF; Zhang,T; Song,ZT; Liu,WL; Liu,XY; Gu,YF; Lv,SL; Xue,WJ; Xi,W 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2012/04/10 JAPAN SOC APPLIED PHYSICS   A Phase Change Memory Device Fabrication Technology Using Si2Sb2Te6 for Low Power Consumption Application 期刊论文  OAI收割 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011), 2011, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 1053-1057 Li,Y; Wan,XD; Song,ZT; Xie,J; Chen,B; Liu,B（刘波）; Wu,GP; Zhu,NF; Zhong,M; Xu,J; Chen,YF 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/10 ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC