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Thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in blue laser diode structure during the epitaxial growth 期刊论文  OAI收割
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2017
作者:  Zhou, Kun(周鲲);  Ikeda, Massao;  Liu, Jianping(刘建平);  Li, Zengcheng(李增成);  Ma, Yi
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/06
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文  OAI收割
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8
作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11
作者:  Hu, WW;  Zhang, SM(张书明);  Ikeda, M;  Chen, YG;  Liu, JP(刘建平)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/03/11
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96
作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21
作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群)
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11