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• 半导体研究所 [67]

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内容类型

• 期刊论文 [54]
• 会议论文 [13]

发表日期

• 2014 [1]
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• 半导体器件 [1]
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浏览/检索结果: 共67条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: 122106 Liu, SB; He, Z; Zheng, L; Liu, B; Zhang, F; Dong, L; Tian, LX; Shen, ZW; Wang, JZ; Huang, YJ; Fan, ZC; Liu, XF; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Sun, GS; Yang, FH; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20 Fabrication of a Low-Loss SSC Using High-Dose Electron Beam Lithography Exposure With Negative PMMA Resist 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503 Liu Y (Liu Yan); Xu XJ (Xu Xuejun); Xing B (Xing Bo); Yu YD (Yu Yude); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：92/1  |  提交时间：2010/04/22 Silicon-on-insulator (SOI)   The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117801 Hu XL (Hu Xiao-Long); Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Shang JZ (Shang Jing-Zhi); Liu WJ (Liu Wen-Jie); Zhang BP (Zhang Bao-Ping) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/12/28 exciton-longitudinal-optical-phonon  InGaN/GaN single quantum well  GaN cap layer  Huang-Rhys factor   Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 107, 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704, Art. No. 083704 作者:  Tang LM (Tang Li-Ming);  Wang LL (Wang Ling-Ling);  Wang D (Wang Dan);  Liu JZ (Liu Jian-Zhe);  Chen KQ (Chen Ke-Qiu)   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/05/24 AUGMENTED-WAVE METHOD  Augmented-wave Method  Electronic-structure  Semiconductors  Films  Znse  Znte  ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  FILMS  ZNSE  ZNTE   Fabrication and optical optimization of spot-size converters with strong cladding layers 期刊论文  OAI收割 journal of optics a-pure and applied optics, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: art. no. 085002 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/03/08 silicon-on-insulator (SOI)  spot-size converters   Growth behavior of AlInGaN films 会议论文  OAI收割 4th asian conference on crystal growth and crystal technology, sendai, japan, may 21-24, 2008 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/09 Scanning electron microscope   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 3044-3048 Ding WC; Liu Y; Zhang Y; Guo JC; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：116/2  |  提交时间：2010/03/08 Er doping  silicon nitride  photoluminescence   Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文  OAI收割 6th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, sep 25-28, 2007 作者:  Chen P 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 pockels effect   Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751 Han GQ; Zeng YG; Liu Y; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 diffusion