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浏览/检索结果: 共274条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245 作者:  Yang, J.;   Zhang, Y. H.;   Zhao, D. G.;   Chen, P.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/19 Enhancing the efficiency of GaN-based laser diodes by the designing of a p-AlGaN cladding layer and an upper waveguide layer 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1780-1790 作者:  Hou, Yufei;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Liu, Zongshun;   Yang, Jing;   Chen, Ping   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/05/18 New mechanisms of cavity facet degradation for GaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 129, 期号: 22, 页码: 223106 作者:  Wang, Xiao-Wei;   Liu, Zong-Shun;   Zhao, De-Gang;   Chen, Ping;   Liang, Feng;   Yang, Jing   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2022/05/19 Investigation on the leakage current characteristics of large size GaN diodes 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2021, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 75116 作者:  Yang, J.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Chen, P.;   Liang, F.   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/18 Monotonic variation in carbon-related defects with Fermi level in different conductive types of GaN 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2021, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 85321 作者:  Zhang, Yuheng;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Yang, Jing;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/09 Tailoring the Energy Funneling across the Interface in InSe/MoS2 Heterostructures by Electrostatic Gating and Strain Engineering 期刊论文  OAI收割 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2021, 卷号: 9, 期号: 19, 页码: 2100438 作者:  Sun, Zhao-Yuan;   Li, Yang;   Xu, Bo;   Chen, Hao;   Wang, Peng;   Zhao, Shou-Xin;   Yang, Li;   Gao, Bo;   Dou, Xiu-Ming;   Sun, Bao-Quan;   Zhen, Liang;   Xu, Cheng-Yan   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/18 Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851 作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2022/03/28 Self-frequency shift of AlN-on-sapphire Kerr solitons 期刊论文  OAI收割 OPTICS LETTERS, 2021, 卷号: 46, 期号: 21, 页码: 5312-5315 作者:  Yao, Shunyu;   Wei, Ziqi;   Guo, Yanan;   Zhang, Liang;   Wang, Junxi;   Yan, Jianchang;   Bao, Chengying;   Yang, Changxi   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/03/28 Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105 作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/03/24 The Atomic Rearrangement of GaN-Based Multiple Quantum Wells in H-2/NH3 Mixed Gas for Improving Structural and Optical Properties 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 161 作者:  Ben, Yuhao;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/03/24