机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2020 [2]
• 2019 [3]
• 2018 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359 作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/11/26 Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362 作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/11/26 Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/04 The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/31 Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/15