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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2007 [2]
2006 [1]
2001 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
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85
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Hydrogenic impurity in double quantum dots
期刊论文
OAI收割
physics letters a, 2007, 卷号: 364, 期号: 1, 页码: 66-69
Wang, XF (Wang, X. F.)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/29
hydrogenic impurity
Electronic states of a hydrogenic donor impurity in semiconductor nano-structures
期刊论文
OAI收割
physics letters a, 2007, 卷号: 366, 期号: 1-2, 页码: 120-123
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia HB (Xia Han-Bai)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/29
hydrogenic donor impurity
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
BINDING-ENERGY
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
IMPURITY
Spectral properties of a double-quantum-dot structure: A causal Green's function approach
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 8727-8733
You JQ
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/08/12
ANDERSON MODEL
RENORMALIZATION-GROUP
TRANSPORT
OSCILLATIONS
IMPURITY
LEVEL