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  • OAI收割 [47]
内容类型
  • 专利 [47]
发表日期
  • 1997 [47]
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浏览/检索结果: 共47条，第1-10条 帮助

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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997326526A, 申请日期: 1997-12-16, 公开日期: 1997-12-16
作者:  平本 清久;  佐川 みすず;  豊中 隆司
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者:  大場 康夫;  菅原 秀人
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
AlInGaN系半導体発光素子および半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1997307190A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者:  福永 敏明
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18
面発光型半導体レーザーの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2719631B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-02-25
作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  船水 将久;  江口 和弘
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997289351A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
作者:  上村 信行;  石橋 明彦;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  武石 英見
  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997283856A, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1997-10-31
作者:  石川 秀人
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
Method of forming GaAs/AlGaAs hetero-structure and GaAs/AlGaAs hetero-structure obtained by the method 专利  OAI收割
专利号: US5679179, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21
作者:  HIYAMIZU, SATOSHI;  SHIMOMURA, SATOSHI;  OKAMOTO, YASUNORI
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化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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Semiconductor laser device and fabricating method thereof 专利  OAI收割
专利号: GB2301481B, 申请日期: 1997-10-08, 公开日期: 1997-10-08
作者:  SHOICHI, , KARAKIDA;  MOTOHARU, , MIYASHITA;  YUTAKA, , MIHASHI
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