机构

• 半导体研究所 [50]

采集方式

• iSwitch采集 [28]
• OAI收割 [22]

内容类型

• 期刊论文 [47]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2008 [50]

学科主题

• 半导体材料 [9]
• 半导体物理 [8]
• 光电子学 [2]
• 半导体化学 [2]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共50条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth temperature dependences of inn films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 作者:  Yang, Cuibai;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Zhang, Xiaobin;  Hua, Guoxin 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Mocvd  Mobility   Effect of nitridation on morphology, structural properties and stress of ain films 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Hu Wei-Guo;  Jiao Chun-Mei;  Wei Hong-Yuan;  Zhang Pan-Feng;  Kang Ting-Ting 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of nb-catalysed gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1629-1633 作者:  Zhuang, Hui-Zhao;  Li, Bao-Li;  Xue, Cheng-Shan;  Zhang, Xiao-kai;  Zhang, Shi-Ying 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanocrystalline materials  Sputtering  Semiconductors  Nanostructure  Nb   Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Effect of annealing temperature of ga2o3/v films on synthesizing beta-ga2o3 nanorods 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 9-10, 页码: 480-483 作者:  Yang, Zhaozhu;  Xue, Chengshan;  Zhuang, Huizhao;  Wang, Gongtang;  Chen, Jinhua 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium  Nanorods  Crystal growth  Optical properties   Catalytic synthesis of large-scale gan nanorods 期刊论文  iSwitch采集 Materials research bulletin, 2008, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 2974-2978 作者:  Chen, Jinhua;  Xue, Chengshan;  Zhuang, Huizhao;  Qin, Lixia;  Li, Hong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Sputtering  X-ray diffraction  Crystal structure   Influence of aln buffer thickness on gan grown on si(111) by gas source molecular beam epitaxy with ammonia 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100 作者:  Lin Guo-Qiang;  Zeng Yi-Ping;  Wang Xiao-Liang;  Liu Hong-Xin 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural and electrical properties of (110) zno epitaxial thin films on (001) srtio3 substrates 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 5-6, 页码: 247-250 作者:  Wu, Yunlong;  Zhang, Liuwan;  Xie, Guanlin;  Ni, Jun;  Chen, Yonghai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno thin films  Pulsed laser deposition  Electrical resistance   Effects of the morphology of zno/ag interface on the surface-plasmon-enhanced emission of zno films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 20, 页码: 4 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Fan, Y. M.;  Yin, Z. G.;  Cai, P. F. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of the sputtering time of zno buffer layer on the quality of gan thin films 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 254, 期号: 21, 页码: 6766-6769 作者:  Xue, Shoubin;  Zhang, Xing;  Huang, Ru;  Zhuang, Huizhao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan films  Zno buffer layers  Sputtering time