机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2009 [10]

学科主题

• 半导体材料 [10]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   The synthesis of MDMO-PPV capped PbS nanorods and their application in solar cells 期刊论文  OAI收割 current applied physics, 2009, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 1175-1179 作者:  Tan FR 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/03/08 Polymers  Nanorods  Solar cells   Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-AFFINITY   Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5716-5720 Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：86/3  |  提交时间：2010/03/08 gap states  grain boundary  microcrystalline silicon  modulated photocurrent   Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds   Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114 作者:  Song HP;  Wei HY;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：198/0  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor materials  valence bands  X-ray photoelectron spectra