机构

• 半导体研究所 [6]
• 高能物理研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2009 [9]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Spectrosco... [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2 作者:  Zhang LQ;  Yang H(杨辉);  Zhang LQ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/01/15 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Growth behavior of alingan films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 作者:  Shang, J. Z.;  Zhang, B. P.;  Mao, M. H.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  Alingan   Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  Chen, WH;  Liao, H;  Hu, XD;  Li, R;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN-based LD  Multi-quantum-well (MQW)  AlInGaN  Barrier material   GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 期刊论文  OAI收割 光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  陈伟华;  廖辉;  胡晓东;  李睿;  贾全杰 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/25 GaN基激光器  多量子阱(MQWs)  AlInGaN  垒材料   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104 作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/23