机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体物理 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 InN nanoflowers grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: art.no.071113 Kang TT (Kang Ting-Ting); Liu X (Liu Xianglin); Zhang RQ (Zhang Ri Q.); Hu WG (Hu Wei G.); Cong G (Cong Guangwei); Zhao FA (Zhao Feng-Ai); Zhu Q (Zhu Qinsheng) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 CRYSTAL-GROWTH  NITRIDE  NANOWIRES   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field 期刊论文  OAI收割 international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851 Li MW; Hu WR; Chen NH; Zeng DL; Tang ZM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 liquid encapsulant Czochralski (LEC)  growth of GaAs  magnetic field finite-element method  boron oxide  CRYSTAL-GROWTH  HEAT-TRANSFER  CONVECTION  FLOW  SIMULATION  MODEL   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE   New insight into the origin of twin and grain boundary in InP 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 Han Y; Lin L 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  synchrotron radiation  LEC GROWTH  CZOCHRALSKI  SINGLE-CRYSTALS   Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277 Fung S; Zhao YW; Beling CD; Xu XL; Gong M; Sun NF; Sun TN; Chen XD; Zhang RG; Liu SL; Yang GY; Qian JJ; Sun MF; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTORS  HYDROGEN  DEFECTS  MECHANISM